据媒体披露,Ferroelectric Memory Co.(简称FMC)与Neumonda公司近期达成合作,双方将携手推动一种创新型内存架构——“DRAM+”的商业化进程。
DRAM+技术融合了DRAM的高速度与非易失性存储的优点,有效填补了高速DRAM与NAND闪存等存储技术之间的性能鸿沟。该技术的核心创新在于采用铁电氧化铪(HfO2)元件替代传统DRAM中的电容器,实现了在无电源供应下也能持久保存数据,同时保持纳秒级的快速访问速度。
相较于过往采用的锆钛酸铅(PZT)材料,HfO2展现出更优越的可扩展性,能够无缝融入现有半导体制造工艺,支持10纳米以下先进制程,并实现千兆位级的高密度存储。
FMC的DRAM+技术主要瞄准对持久性、低功耗及高性能有严格要求的特定应用场景,如AI加速器、汽车电子控制单元(ECU)以及医疗植入设备等。该技术通过取消传统刷新周期,显著降低了静态功耗,相较于传统DRAM单元具有显著优势。
目前,Neumonda已承诺为FMC提供其先进的测试平台Rhinoe和Octopus Raptor,但双方尚未公布DRAM+产品的具体上市时间表。
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